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| 形变对InAs/GaAs量子点光学性质的影响 | |
| 引用本文： | 宿星亮,张耕.形变对InAs/GaAs量子点光学性质的影响[J].山西大学学报(自然科学版),2021(2):269-274. |
| 作者姓名： | 宿星亮 张耕 |
| 摘 要： | 在有效质量近似下,结合外场对材料性质的改变,并考虑压电电子学相关观点,从计算上研究了外场对闪锌矿InAs/GaAs量子点光学性质的影响,并与实验结果进行了比对.结果 表明:形变会导致量子点光吸收谱线强度降低,但吸收峰峰位向高频方向移动.考虑因形变增大而加强的压电势影响时,量子点的光吸收强度降低更加明显,向低能方向快速移... |
| 关 键 词： | InAs/GaAs量子点 形变 温度 光吸收 |