| 沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响 |
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| 引用本文： | 陈永生,郜小勇,杨仕娥,卢景霄,谷锦华.沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响[J].大庆师范学院学报,2007(7). |
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| 作者姓名： | 陈永生 郜小勇 杨仕娥 卢景霄 谷锦华 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室 郑州450052 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601)资助的课题.~~ |
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| 摘 要： | 采用PECVD技术,在玻璃衬底上沉积μc-Si:H薄膜.用拉曼光谱、SEM和UV分光光度计对不同沉积温度下沉积的薄膜的结构特性进行分析.研究发现:沉积温度较低时,随着沉积温度的升高,薄膜的晶化率增加;当沉积温度超过某一温度值时,随着温度的进一步升高,薄膜的晶化率降低.这时,表面反应由表面扩散限制转变为流量控制.该温度值随着硅烷含量的降低而降低.
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| 关 键 词： | 氢化微晶硅薄膜 拉曼散射谱 晶化率 UV分光光度计 |
The influence of deposition temperature on the structure of microcrystalline silicon film |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | microcrystalline silicon film Raman scattering crystalline volume fraction UV spectrophotometer |
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