沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响 |
| |
引用本文: | 陈永生,郜小勇,杨仕娥,卢景霄,谷锦华. 沉积温度对微晶硅薄膜结构特性的影响[J]. 大庆师范学院学报, 2007, 0(7) |
| |
作者姓名: | 陈永生 郜小勇 杨仕娥 卢景霄 谷锦华 |
| |
作者单位: | 郑州大学物理工程学院材料物理重点实验室 郑州450052 |
| |
基金项目: | 国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202601)资助的课题.~~ |
| |
摘 要: | 采用PECVD技术,在玻璃衬底上沉积μc-Si:H薄膜.用拉曼光谱、SEM和UV分光光度计对不同沉积温度下沉积的薄膜的结构特性进行分析.研究发现:沉积温度较低时,随着沉积温度的升高,薄膜的晶化率增加;当沉积温度超过某一温度值时,随着温度的进一步升高,薄膜的晶化率降低.这时,表面反应由表面扩散限制转变为流量控制.该温度值随着硅烷含量的降低而降低.
|
关 键 词: | 氢化微晶硅薄膜 拉曼散射谱 晶化率 UV分光光度计 |
The influence of deposition temperature on the structure of microcrystalline silicon film |
| |
Abstract: | |
| |
Keywords: | microcrystalline silicon film Raman scattering crystalline volume fraction UV spectrophotometer |
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|