| 用WOCl_4制备WO_3薄膜 |
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| 引用本文： | 惠博然,张英兰,戴国瑞. 用WOCl_4制备WO_3薄膜[J]. 吉林大学学报(理学版), 1996, 0(3) |
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| 作者姓名： | 惠博然 张英兰 戴国瑞 |
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| 作者单位： | 长春光学精密机械学院材料工程系，中国科学院长春物理研究所，吉林大学电子工程系 |
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| 摘 要： | 在Ｈｅ－Ｏ２混合气压恒定，射频功率为４０Ｗ～５０Ｗ、高压汞灯加热电流为５Ａ～６Ａ，衬底被加热到１００℃的条件下，以ＷＯＣＩ４作源，采用等离子体增强ＣＶＤ技术制备了ＷＯ３薄膜．沉积速度为４３ｕｍ／ｍｉｎ．该膜为无定形结构．在４００℃以上退火处理，由无定形转变为结晶形．并具有电致变色特性．
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| 关 键 词： | WO_3薄膜，PECVD技术，结构和组成的分析，电致变色 |
Tungsten Oxide Thin Films Prepared by Using Tungsten Oxychloride as a Precursor |
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| Hui Boran. Tungsten Oxide Thin Films Prepared by Using Tungsten Oxychloride as a Precursor[J]. Journal of Jilin University: Sci Ed, 1996, 0(3) |
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| Authors: | Hui Boran |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | WO3 thin film PECVD technique structure and composition analysis. electrochromism |
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