CuO/CeO2体系中表面Cu(Ⅱ)组份的状态及还原过程 |
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作者姓名: | 颜茂珠 |
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作者单位: | 淮阴师范专科学校化学系 |
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摘 要: | 采用TPR结合XRD定理研究了CuO/CeO2体系中Cu(Ⅱ)的分散状态及还原过程,结果表明:CuO在CeO2表面的分散容量为1.15mmol/100m^2,Cu(Ⅱ)可以以高分散态Cu(Ⅱ?嵌入到表面空位中以晶相CuO(当CuO含量超过分散容量时)形式存在,在还朱过程中首先是处于表面空位中的Cu(Ⅱ)被还原,随后晶相CuO中的Cu(Ⅱ)进入该空位再被还原,从而导致表面连续嵌入和还原过程的发生。
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关 键 词: | 氧化铜 氧化铈 表面化学 还原反应 氧化物催化剂 |
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