CuO／CeO2体系中表面Cu（Ⅱ）组份的状态及还原过程

采用ＴＰＲ结合ＸＲＤ定理研究了ＣｕＯ／ＣｅＯ２体系中Ｃｕ（Ⅱ）的分散状态及还原过程，结果表明：ＣｕＯ在ＣｅＯ２表面的分散容量为１．１５ｍｍｏｌ／１００ｍ＾２，Ｃｕ（Ⅱ）可以以高分散态Ｃｕ（Ⅱ?嵌入到表面空位中以晶相ＣｕＯ（当ＣｕＯ含量超过分散容量时）形式存在，在还朱过程中首先是处于表面空位中的Ｃｕ（Ⅱ）被还原，随后晶相ＣｕＯ中的Ｃｕ（Ⅱ）进入该空位再被还原，从而导致表面连续嵌入和还原过程的发生。