| 0.35 μm CMOS工艺实现的1.9 GHz上变频器 |
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| 引用本文： | 陈新华,陈志恒,王志功,姚胡静,方芳,谢婷婷.0.35 μm CMOS工艺实现的1.9 GHz上变频器[J].东南大学学报(自然科学版),2001,31(4):10-13. |
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| 作者姓名： | 陈新华 陈志恒 王志功 姚胡静 方芳 谢婷婷 |
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| 作者单位： | 东南大学射频与光电集成电路研究所, |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)，863-317-03-04-99， |
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| 摘 要： | 分析了利用深亚微米CMOS工艺进行了射频集成电路设计的方法，在此基础上设计出了采用标准0．35μmCMOS工艺的输出频率在1．9GHz的上变频器，它可以用在WCDMA发射／接收机中，整个设计利用SPICE软件和HP ADS软件进行电路和系统模拟模拟，模拟结果：三阶互调ⅢP为10dBm，转换增益大于10dB，。已经利用Cadence工具进行版图设计和验证，最后通过美国MOSIS工程流片，芯片面积大约为0．6mm^2，目前初步的性能测试已经完成，芯片混频效果良好，在单电源＋3．3V供电情况下，功耗小60mW，进一步的测试将在近期完成。
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| 关 键 词： | 射频集成电路 模拟CMOS集成电路 混频器 变频器 |
| 文章编号： | 1001-0505(2001)04-0010-04 |
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