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0.35 μm CMOS工艺实现的1.9 GHz上变频器
引用本文:陈新华,陈志恒,王志功,姚胡静,方芳,谢婷婷.0.35 μm CMOS工艺实现的1.9 GHz上变频器[J].东南大学学报(自然科学版),2001,31(4):10-13.
作者姓名:陈新华  陈志恒  王志功  姚胡静  方芳  谢婷婷
作者单位:东南大学射频与光电集成电路研究所,
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划),863-317-03-04-99,
摘    要:分析了利用深亚微米CMOS工艺进行了射频集成电路设计的方法,在此基础上设计出了采用标准0.35μmCMOS工艺的输出频率在1.9GHz的上变频器,它可以用在WCDMA发射/接收机中,整个设计利用SPICE软件和HP ADS软件进行电路和系统模拟模拟,模拟结果:三阶互调ⅢP为10dBm,转换增益大于10dB,。已经利用Cadence工具进行版图设计和验证,最后通过美国MOSIS工程流片,芯片面积大约为0.6mm^2,目前初步的性能测试已经完成,芯片混频效果良好,在单电源+3.3V供电情况下,功耗小60mW,进一步的测试将在近期完成。

关 键 词:射频集成电路  模拟CMOS集成电路  混频器  变频器
文章编号:1001-0505(2001)04-0010-04

A 1.9 GHz Up-Conversion Mixer in 0.35 μm CMOS Technology
Chen Xinhua,Chen Zhiheng,Wang Zhigong,Yao Hujing,Fang Fang,Xie Tingting.A 1.9 GHz Up-Conversion Mixer in 0.35 μm CMOS Technology[J].Journal of Southeast University(Natural Science Edition),2001,31(4):10-13.
Authors:Chen Xinhua  Chen Zhiheng  Wang Zhigong  Yao Hujing  Fang Fang  Xie Tingting
Abstract:
Keywords:RFIC  analog CMOS integrated circuit  mixer
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