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在空穴传输层中掺杂F4-TCNQ提高绿色有机电致发光器件性能
引用本文:张勇,张春林,王方聪,刘肃.在空穴传输层中掺杂F4-TCNQ提高绿色有机电致发光器件性能[J].兰州大学学报(自然科学版),2010,46(5).
作者姓名:张勇  张春林  王方聪  刘肃
作者单位:1. 兰州大学学报编辑部,兰州,730000
2. 兰州交通大学,数理与软件工程学院,兰州,730070;兰州大学,物理科学与技术学院,兰州,730000
3. 兰州大学,物理科学与技术学院,兰州,730000
摘    要:研究了在空穴传输层2T-NATA中掺杂不同浓度的p型氧化剂F4-TCNQ制备高性能的绿色有机电致发光器件(OLED).F4-TCNQ在空穴传输层2T-NATA中的掺杂浓度为8%(质量百分比)时(驱动电压为22V),其亮度达到4256cd/m~2,同时与未掺杂的器件相比,其最大发光效率由2.9cd/A增大到3.4 cd/A.分析结果表明,OLED性能的改善主要归因于:首先,掺杂F4-TCNQ使得器件做到了欧姆接触,使消耗在ITO/空穴传输层界面的电压达到最小;其次,掺杂F4-TCNQ提高了载流子形成激子的几率,最终使器件性能得到了很大程度的改善.

关 键 词:有机电致发光器件(OLED)  掺杂  空穴传输层

Utilizing doped F4-TCNQ in the hole transporting layers to enhance performance of green organic light emitting diode
ZHANG Yong,ZHANG Chun-lin,WANG Fang-cong,LIU Su.Utilizing doped F4-TCNQ in the hole transporting layers to enhance performance of green organic light emitting diode[J].Journal of Lanzhou University(Natural Science),2010,46(5).
Authors:ZHANG Yong  ZHANG Chun-lin  WANG Fang-cong  LIU Su
Abstract:
Keywords:F4-TCNQ
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