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| GaN受激喇曼散射谱研究 | |
| 引用本文： | 胡国华,陈光德,齐鸣,李爱珍,林景瑜,江红星.GaN受激喇曼散射谱研究[J].西安交通大学学报,2000,34(10):103-105. |
| 作者姓名： | 胡国华 陈光德 齐鸣 李爱珍 林景瑜 江红星 |
| 作者单位： | 1. 西安交通大学,710049,西安 2. 中科院上海冶金研究所 3. 美国堪萨斯州大学 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目!(19874049)，教育部优秀青年教师基金资助项目 |
| 摘 要： | 对ＧａＮ样品薄膜进行了喇曼背散射几何配置下的喇曼散射测试与分析，其样品分别是在不同衬底上以金属有机物气相沉积（ＭＯＣＶＤ）法和分子束外延（ＭＢＥ）法生长的，观测到了纤锌矿结构ＧａＮ的允许模式Ａ１（ＬＯ）模和Ｅ２（高）模，同时也观测到了一些禁戒模式，结果表明：受激喇曼散射是研究ＧａＮ结构的一种有效手段。 |
| 关 键 词： | 氮化镓 喇曼散射 晶体结构 喇曼光谱 |
Raman Scattering Spectroscopy of GaN |
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| Hu Guohua,Chen Guangde,Qi Ming,Li Aizhen,Lin Jingyu,Jiang Hongxing.Raman Scattering Spectroscopy of GaN[J].Journal of Xi'an Jiaotong University,2000,34(10):103-105. | |
| Authors: | Hu Guohua Chen Guangde Qi Ming Li Aizhen Lin Jingyu Jiang Hongxing |
| Abstract: | |
| Keywords: | GaN |
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