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| MeV高能离子注入Si中二次缺陷控制 | |
| 引用本文： | 卢武星.MeV高能离子注入Si中二次缺陷控制[J].自然科学进展,1995,5(3):371-377. |
| 作者姓名： | 卢武星 |
| 摘 要： | 提出了几种用于解决离子注入Ｓｉ中二次缺陷控制的有效新途径，阐明了这些过程的物理机制，并通过实例对这些新方法的重要应用价值做了简单讨论。 |
| 关 键 词： | 高能 离子注入 辐射损伤 二次缺陷 硅 半导体 |
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