| 利用热致延迟荧光材料提高InP/ZnS无镉量子点发光二极管的性能 |
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| 引用本文： | 林旺,陈历相,唐宇,戈伟杰,周林箭,雷衍连.利用热致延迟荧光材料提高InP/ZnS无镉量子点发光二极管的性能[J].中国科学:物理学 力学 天文学,2019(6):80-87. |
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| 作者姓名： | 林旺 陈历相 唐宇 戈伟杰 周林箭 雷衍连 |
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| 作者单位： | 西南大学物理科学与技术学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(编号:11204247);重庆市基础与前沿研究项目(编号:cstc2016jcyjA0371)资助 |
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| 摘 要： | 充分利用三重态激子是提高发光器件效率的重要途径.磷光材料和热致延迟荧光材料(thermally activated delayed fluorescence, TADF)均可以实现对三重态激子的利用.然而,目前在量子点发光二极管中,采用TADF材料来实现对三重态激子的利用进而提高发光效率的工作还很少.本文采用了TADF材料4,5-二(9-咔唑基)-邻苯二腈(2CzPN)掺杂聚(9-乙烯基咔唑)(PVK)(1:5)作为空穴传输层(hole transporting layer, HTL),制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK:2CzPN/InP/ZnS QDs/ZnO/Al的量子点发光器件.结果表明, 2CzPN的引入可以提升器件的空穴传输效率,使注入的电子和空穴趋于平衡;同时,通过2CzPN中的反系间窜越过程实现了对三重态激子的利用,并通过HTL和量子点InP/ZnS之间的F?rster能量转移过程提高了InP/ZnS无镉量子点发光二极管的效率,使其最大发光亮度达到513 cd/m2.相比未掺杂控制器件的最大发光亮度(407 cd/m2),实现了26%的增长.同时,使得最大电流效率较未掺杂控制器件提高了4倍,增加到1.6 cd/A.
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| 关 键 词： | 无镉量子点发光二极管 InP/ZnS量子点 热致延迟荧光 |
Improving the performance of Cd-free quantum dot lightemitting diodes by incorporating the thermally activated delayed fluorescence molecules |
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| LIN Wang,CHEN LiXiang,TANG Yu,GE We订ie,ZHOU LinJian,LEI YanLian.Improving the performance of Cd-free quantum dot lightemitting diodes by incorporating the thermally activated delayed fluorescence molecules[J].Scientia Sinica Pysica,Mechanica & Astronomica,2019(6):80-87. |
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| Authors: | LIN Wang CHEN LiXiang TANG Yu GE We订ie ZHOU LinJian LEI YanLian |
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| Institution: | (School of Physical Science and Technology,Southwest University,Chongqing 400715,China) |
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| Abstract: | LIN Wang;CHEN LiXiang;TANG Yu;GE We订ie;ZHOU LinJian;LEI YanLian(School of Physical Science and Technology,Southwest University,Chongqing 400715,China) |
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| Keywords: | Cd-free quantum-dot light-emitting diode InP/ZnS quantum dot thermally activated delayed fluorescence |
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