复拉单晶硅材料的高位错密度对太阳电池性能影响的研究

本文报道用高位错密度N_D=10~6～10~(10)废次复拉单晶硅制作太阳电池,研究了位错对太阳电池性能的影响。用损伤吸杂、重掺磷及氢化处理可以消除高位错密度对太阳电池特性的影响。实验结果表明,经上述方法处理,以高位错密度单晶硅制备的太阳电池,其转换效率达到了常规复拉单晶硅材料制备电池的水平,而所采用的方法并不增加工艺复杂性,从而降低了电池对原材料的要求。