| X射线对双层封装材料剂量增强效应的影响 |
| |
| 引用本文： | 周银行,马玉刚,刘少林,孙亮,赵广义,马纯辉.X射线对双层封装材料剂量增强效应的影响[J].吉林大学学报(理学版),2006,44(4):637-640. |
| |
| 作者姓名： | 周银行 马玉刚 刘少林 孙亮 赵广义 马纯辉 |
| |
| 作者单位： | 1. 吉林大学 物理学院, 长春 130021; 2. 吉林大学 电子科学与工程学院, 长春 130012 |
| |
| 摘 要： | 用Monte Carlo方法计算了双层封装结构Al/Au-Si, Kovar/Au-Si, Au/Al-Si和Au/Kovar-Si对不同能量X射线在Si中的剂量增强系数, 并进行比较. 结果确定了半导体器件Si中的剂量增强灵敏区大小, 并且得到了这四种封装结构在Si中灵敏区不同位置处的剂量增强系数及引起剂量增强的X射线能量范围.
|
| 关 键 词： | MonteCarlo方法 X射线 封装材料 剂量增强系数 |
| 文章编号： | 1671-5489(2006)04-0637-04 |
| 收稿时间： | 2005-09-08 |
| 修稿时间： | 2005年9月8日 |
Effect on Dose Enhancement of Double Deck Package Materials Produced by X-ray |
| |
| ZHOU Yin-hang,MA Yu-gang,LIU Shao-lin,SUN Liang,ZHAO Guang-yi,MA Chun-hui.Effect on Dose Enhancement of Double Deck Package Materials Produced by X-ray[J].Journal of Jilin University: Sci Ed,2006,44(4):637-640. |
| |
| Authors: | ZHOU Yin-hang MA Yu-gang LIU Shao-lin SUN Liang ZHAO Guang-yi MA Chun-hui |
| |
| Institution: | 1. College of Physics, Jilin University, Changchun 130021, China; 2. College of Electronic Science and Engineering, Jilin University, Changchun 130012, China |
| |
| Abstract: | DEFs(Dose Enhancement Factor) in Silicon produced by X-rays with different energies were(calculated) via Monte Carlo method for the structures(such as Al/Au-Si,Kovar/Au-Si,Au/Al-Si and(Au/Kovar-Si)) of double package materials.The sensitive section of dose enhancement in Silicon of semiconductor device was determined.DEFs at the different sensitive sections in Silicon and the energy ranges of(X-ray) for dose enhancement were also demonstrated. |
| |
| Keywords: | Monte Carlo method X-ray package material dose enhancement factor |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《吉林大学学报(理学版)》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《吉林大学学报(理学版)》下载免费的PDF全文 |
