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快离子在C60薄膜中电子能损效应
作者姓名:金运范  杨茹  刘昌龙  王衍斌  程松  刘杰  侯明东  姚江东
作者单位:1. 中国科学院近代物理研究所
2. 兰州大学物理系,兰州,730000
基金项目:中国科学院资助项目,中国科学院重点项目,国家自然科学基金,18975048;19675054,KJ952-S1-423,,,,
摘    要:用Raman散射技术分析了171.2MeVS^9+和120keV的H^+离子在C60薄膜中电子能损引起的效应,即晶态→非晶态转变。在H^+离子辐照的情况下,发现电子能损有明显的退火效应,致使C60晶态→非晶态转变过程中,经过一个石墨化的中间过程。而在S^9+离子辐照的情况下,电子能损的破坏作用超过了退火效应,不存在石墨化的中间过程。

关 键 词:电子能损效应  C60薄膜  快离子  退火效应
收稿时间:1999-02-12
修稿时间:1999-09-01
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