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Si—nipi超晶格亚带结构的研究
引用本文:宋仁国,于兴君. Si—nipi超晶格亚带结构的研究[J]. 信阳师范学院学报(自然科学版), 1993, 0(2)
作者姓名:宋仁国  于兴君
作者单位:东北工业大学物理系 沈阳市110006(宋仁国),东北工业大学物理系 沈阳市110006(于兴君)
摘    要:本文采用各项异性有效质量近似,加入局域密度泛函近似下的交换关联项,自治地计算了Si—nipi在室温时亚带结构随自由载流子浓度的变化规律.结果表明,超晶格的有效带隙随自由载流子浓度的增加而变宽.这个结论与绝对零度时是一致的.

关 键 词:超晶格  亚带结构  有效带隙

Investigation of Subband Structurc for Si-nipi Superlattice
SongRcnguo YuXingjun. Investigation of Subband Structurc for Si-nipi Superlattice[J]. Journal of Xinyang Teachers College(Natural Science Edition), 1993, 0(2)
Authors:SongRcnguo YuXingjun
Affiliation:SongRcnguo YuXingjun
Abstract:This paper calculats the tubband structure which vary with free Carrier concentration for Si-nipi superlattice by self-Conistence, using antisotropic effective mass,in the framework of local-density functional approxima t ion, The effective band gap changes wider as the free Carrier conccntration incrases. Comparing with the subband structure at T=0K, the Conclusioii is consistent.
Keywords:Superlattice   Subband structure   Effective band gap
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