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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
硅单晶热稳定性研究
作者姓名:
梁连科
李志魁
周子岚
戴才旺
作者单位:
东北工学院有色系半导体材料教研室(梁连科,李志魁,周子岚),东北工学院有色系半导体材料教研室(戴才旺)
摘 要:
本文对N型(111)高阻、P型(111)和N型(100)低阻硅单晶,进行了热处理实验,研究了氧含量和热处理温度对无位错硅单晶的电阻率、寿命和红外吸收特性的影响,确定了影响电阻率稳定性的氧含量值。
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