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三势垒共振隧道结构中电子的几率分布和势垒贯穿系数
引用本文:明庭尧.三势垒共振隧道结构中电子的几率分布和势垒贯穿系数[J].西南师范大学学报(自然科学版),2014,39(11):56-61.
作者姓名:明庭尧
作者单位:重庆大学 城市科技学院,重庆,402167
摘    要:建立了三势垒共振隧道结构的物理模型,应用量子力学和固体理论,求出了电子的波函数和几率分布,以具有势阱材料In0.53Ga0.47As和势垒材料In0.52Al0.48As的纳米系统为例,探讨了电场对三势垒共振隧道结构电子几率分布和势垒贯穿系数的影响.结果表明:当能量较小时,电子的几率主要分布在第1势阱中,而当能量较大时,则主要分布在第2势阱,在势垒中电子几率很小;电子随能量的几率分布有波动性,在共振能附近的几率极大,共振能随着电场强度的增大而减小;电场的存在会使电子的最可几位置向入口势垒方向移动,而使电子贯穿势垒系数减小;电子势垒贯穿系数随能量增大而增大,当能量较小时,其数值及其随能量的变化都较小,当能量较大时情况则相反.

关 键 词:三势垒共振隧道结构  电子几率分布  电子势垒贯穿系数  电场

On Electronic Probability Distribution and Electronic Barrier Penetration Coefficient of Three Barrier Resonant Tunneling Structure
M ING Ting-yao.On Electronic Probability Distribution and Electronic Barrier Penetration Coefficient of Three Barrier Resonant Tunneling Structure[J].Journal of Southwest China Normal University(Natural Science),2014,39(11):56-61.
Authors:M ING Ting-yao
Institution:MING Ting-yao;City College of Science and Technology,Chongqing University;
Abstract:
Keywords:three barrier resonant tunneling structure  electronic probability distribution  electronic barrier penetration coefficient  electric field
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