| Si衬底上生长ZnO薄膜成熟化的研究 |
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| 引用本文： | 余萍,熊狂炜,邱东江.Si衬底上生长ZnO薄膜成熟化的研究[J].江西师范大学学报(自然科学版),2010,34(4). |
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| 作者姓名： | 余萍 熊狂炜 邱东江 |
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| 作者单位： | 1. 华东交通大学,基础学院,应用物理系,江西,南昌,330013
2. 浙江大学,物理系,浙江,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 用电子束反应蒸发(REBE)方法在Si和白宝石衬底上低温生长了ZnO晶体薄膜.测量结果表明ZnO晶粒具有类柱状的生长特性,并且首次发现Si基ZnO外延层生长的Ostwald"成熟化"(ripening)过程.研究结果还表明这种"成熟化"出现和衬底结构有关,而且"成熟化"并不影响薄膜的生长取向;光荧光激发光谱(PLE)测量显示,在330～350 nm区域有一个较宽的荧光激发峰,该宽峰跟掩埋在外延层内部的2种尺寸的ZnO量子点有关.
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| 关 键 词： | 电子束反应蒸发技术 ZnO薄膜 成熟化过程 |
The Investigation for ZnO Thin Films Ripening on Si Substrate |
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| YU Ping,XIONG Kuang-wei,QIU Dong-jiang.The Investigation for ZnO Thin Films Ripening on Si Substrate[J].Journal of Jiangxi Normal University (Natural Sciences Edition),2010,34(4). |
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| Authors: | YU Ping XIONG Kuang-wei QIU Dong-jiang |
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