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| F—H汞管阴极电子逸出功的测定 | |
| 作者姓名： | 周勋 |
| 作者单位： | 贵州师范大学物理与电子科学系!贵阳550001 |
| 摘 要： | 许多电子设备中使用的电子管（如直热式二极管、Ｆ—Ｈ汞管等），其灯丝必须通以一定的电流才有电子发射出来，这是因为要使电子逸出金属表面，必须克服阻力作功，加热就是使电子动能增加便于作功的方法之一。金属最简单的模型是自由电子的模型，金属离子实形成均匀分布的正电荷背景，价电子已脱离原来所属的离子实的束缚在空间点阵内自由运动，而价电子间的库仑力可以忽略，这时金属中的自由电子气可以看作在均匀正电荷背景上自由运动的近独立粒子组成的费密系统，而且电子质量很小，密度大，乃是理想的简并性气体，故金属中电子能级的分配… |
| 关 键 词： | 电子管 F－H汞管 电子逸出功 测定 阴极 |
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