| 硅衬底温度对金刚石薄膜品质影响 |
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| 引用本文： | 张议丹,于淼,王倩,郑友进. 硅衬底温度对金刚石薄膜品质影响[J]. 哈尔滨师范大学自然科学学报, 2015, 0(1): 114-116 |
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| 作者姓名： | 张议丹 于淼 王倩 郑友进 |
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| 作者单位： | 牡丹江师范学院 |
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| 基金项目： | 黑龙江省自然科学基金(E201341);黑龙江省教育厅面上项目(12541839);牡丹江科技局攻关项目(201302) |
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| 摘 要： | 采用PCVD法制备金刚石薄膜的设备研究硅衬底温度变化对沉积金刚石薄膜品质的影响.实验发现,温度从750℃增加到950℃的过程中,随着硅衬底温度上升,金刚石薄膜的质量先变好,生长速率减小;850℃质量达到最好,生长速率降到最低;850℃后质量开始变差,生长速率增加;950℃膜由反聚乙炔构成.随着硅衬底温度增加,氢原子刻蚀作用逐渐增大且愈加集中,膜表面空洞缺陷和晶界缺陷增加.综合考量,金刚石薄膜的品质先变好后变差.
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| 关 键 词： | 硅衬底 温度 品质 |
Temperature Influence of Si Substrate on the Quality of Diamond Film |
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| Zhang Yidan;Yu Miao;Wang Qian;Zheng Youjin. Temperature Influence of Si Substrate on the Quality of Diamond Film[J]. Natural Science Journal of Harbin Normal University, 2015, 0(1): 114-116 |
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| Authors: | Zhang Yidan Yu Miao Wang Qian Zheng Youjin |
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| Affiliation: | Zhang Yidan;Yu Miao;Wang Qian;Zheng Youjin;Mudanjiang Normal College; |
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