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0.5ML氢化Si(100)表面结构的理论研究
引用本文:黄晓江,朱晓焱,黄燕.0.5ML氢化Si(100)表面结构的理论研究[J].苏州大学学报(医学版),2004,20(3):55-60.
作者姓名:黄晓江  朱晓焱  黄燕
作者单位:苏州大学物理科学与技术学院,苏州大学物理科学与技术学院,苏州大学物理科学与技术学院 江苏苏州 215006,江苏苏州 215006中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海 200083,江苏苏州 215006中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海 200083
基金项目:中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室开放课题资助项目(200412)
摘    要:采用经验紧束缚近似(empiricaltight binding)方法模拟了Si(100)表面0.5ML(monolayer)氢化结构.通过对各种可能的0.5ML氢化Si(100)表面模型的能量的计算,得到了能量结构最为稳定的表面拓扑构造,并确定了其键长、键角、不对称性等参数,还证实了实验上在Si(100)-p(2×2)基底上亦可形成c(4×4)-H稳定结构的结论.

关 键 词:氢化硅  表面结构  经验紧束缚近似
文章编号:1000-2073(2004)03-0055-06
修稿时间:2004年3月26日

Structures of 0.5 monolayer hydrogenated Si(100) surface
HUANG Xiao-jiang,ZHU Xiao-yan.Structures of 0.5 monolayer hydrogenated Si(100) surface[J].Journal of Suzhou University(Natural Science),2004,20(3):55-60.
Authors:HUANG Xiao-jiang  ZHU Xiao-yan
Institution:HUANG Xiao-jiang~1,ZHU Xiao-yan~
Abstract:
Keywords:hydrogenated Si  structure of surface  empirical tight-binding
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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