| CHx(x=0～4)在γ-Al2O3(110D)表面吸附的密度泛函研究 |
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| 引用本文： | 图雅,王小晶,王威,白红亮.CHx(x=0～4)在γ-Al2O3(110D)表面吸附的密度泛函研究[J].内蒙古大学学报(自然科学版),2007,38(3):299-305. |
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| 作者姓名： | 图雅 王小晶 王威 白红亮 |
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| 作者单位： | 内蒙古大学化学化工学院,呼和浩特 010021;内蒙古工业大学化工学院,呼和浩特,010062 |
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| 基金项目： | 教育部春晖计划项目
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内蒙古人才工程项目 |
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| 摘 要： | 使用基于密度泛函理论(DFT)的Castep量子力学计算程序模块,对CHx(x=0～4)在γ-Al2O3(110D)表面吸附的位置,空间结构和能量进行了理论计算.计算结果表明,CHx(x=0～3)与表面形成强的相互作用.CH3,CH2物种处于表面八面体铝的正上方时,结构最为稳定;CH,C物种处在表面八面体铝和三配位氧的桥键位置时,体系的总能量最低.而CH4只与γ-Al2O3(110D)表面发生非常弱的相互作用,构成物理吸附.布居分析表明CHx(x=0～3)与表面作用时电子从表面向CHx转移.
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| 关 键 词： | CHx γ-Al2O3(110D) 吸附 密度泛函理论(DFT) |
| 文章编号： | 1000-1638（2007）03-0299-07 |
| 修稿时间： | 2006 |
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