GaN气相外延生长的热、动力学和机理(Ⅰ)Ga-HCl-NH_3-Ar系统的热力学分析

应用扩散控制一附面层理论模型对Ga-HCl-NH_(?)-Ar开管气流系统进行了热力学分析。结果指出,GaN的理论淀积速率及其与反应条件——反应物分压,淀积温度、气体流速等的关系和大部分文献结果基本吻合,表明该模型反映了这一淀积系统的主导特征。有的实验事实不能用这一理论分析介释,意味着体系中动力学因素起着某种关键作用,有待进行深入的动力学研究和机理探讨。