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| MOCVD法在GaAs衬底上生长Hg1—xCdxTe和过... | |
| 引用本文： | 丁永庆,彭瑞伍.MOCVD法在GaAs衬底上生长Hg1—xCdxTe和过...[J].科技通讯(上海),1992(4):8-12,23. |
| 作者姓名： | 丁永庆 彭瑞伍 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 砷化镓 衬底 生长 CMT MOCVD法 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
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