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| PECVDSiO2/Si3N4双层膜驻极体性能 | |
| 引用本文： | 陈治宇,吕知秋,张锦文,金玉丰,李婷,田大宇,王颖.PECVDSiO2/Si3N4双层膜驻极体性能[J].科技通讯(上海),2008,14(1):125-128. |
| 作者姓名： | 陈治宇 吕知秋 张锦文 金玉丰 李婷 田大宇 王颖 |
| 作者单位： | 北京大学微电子研究院,微米／纳米加工技术国家重点实验室,北京100871 |
| 摘 要： | 本文研究了在带有Cr/Au电极的玻璃衬底上利用PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能。针对这种驻极体提出了一个简单的工艺流程暴露出一部分金属电极,并在电晕注极过程中将底电极引出接地。通过实验改变电晕注极过程中的注极时间、温度等因素,希望得到对PECVD制备的SiO2/Si3N4双层膜驻极体性能的优化。本文证实了PECVD双层膜具备良好的驻极体性能,有望广泛应用于微器件中。 |
| 关 键 词： | 驻极体 SiO2/Si3N4双层膜 PECVD |
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