当前变频器的发射限值解析 |
| |
引用本文: | 杨帆.当前变频器的发射限值解析[J].中国新技术新产品精选,2011(18):14-15. |
| |
作者姓名: | 杨帆 |
| |
作者单位: | 中冶赛迪工程技术股份有限公司; 重庆400013 |
| |
摘 要: | 从变频器的核心部分到外围设计都严格遵循有关EMC准则,为干扰电流建立适当的低阻抗路径,分析并改善电磁辐射的抑制,整个变频器是在可接受成本的基础上,满足C3发射限值的要求。本文主要在新形势下探讨了当前变频器的发射限值。
|
关 键 词: | 变频器 发射限值 干扰 |
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录! |
|