| 前驱体中Bi含量对Bi3．4Ce0．6Ti3O12薄膜结构和性能的影响 |
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| 作者姓名： | 付承菊 黄志雄 李杰 郭冬云 |
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| 作者单位： | ① 武汉理工大学材料科学与工程学院, 武汉 430070;② 重庆科技学院机械工程学院, 重庆 400042;③ 武汉大学物理科学与技术学院, 武汉 430072 |
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| 摘 要： | 分别配制了Bi含量为90，100和110mole％的前驱体，在Pt／Ti／SiO2／Si衬底上制备Bi3．4Ce0．6Ti3O12薄膜，研究前驱体中Bi含量对其微观结构和铁电性能的影响．前驱体中Bi含量增加可以有效地改善薄膜的结晶性能和表面形貌．对Pt／Bi3．4Ce0．6Ti3O12／Pt电容结构进行电学性能测量，发现Bi过量10％的前驱体制备的Bi3．4Ce0．6Ti3O12薄膜具有较好的性能：室温下，在测试频率1kHz时，其介电常数为172，介电损耗为0．033；在测试电场为600kV／cm时，其剩余极化值（2Pr）和矫顽电场（2Ec）分别达到67．1gC／cm^2和299．7kV／cm；同时还表现出良好的抗疲劳特性和绝缘性能．
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| 关 键 词： | 铁电性能 Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜 Sol—gel法 Bi含量 |
| 收稿时间： | 2007-12-07 |
| 修稿时间： | 2008-04-06 |
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