| 沉积能量对ABO_3型薄膜生长的影响 |
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| 引用本文： | 谭浚哲,朱基亮,张青磊,吴家刚,于光龙,朱建国,肖定全.沉积能量对ABO_3型薄膜生长的影响[J].四川大学学报(自然科学版),2005(Z1). |
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| 作者姓名： | 谭浚哲 朱基亮 张青磊 吴家刚 于光龙 朱建国 肖定全 |
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| 作者单位： | 四川大学材料科学系 四川大学材料科学系 成都 |
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| 摘 要： | 报道在Monte Carlo方法模拟多元氧化物薄膜生长的三维模型及模拟算法的基础上,模拟同质ABO3型薄膜外延的生长.引入粒子的沉积能量范围在0～2eV(假设沉积粒子所带能量较低,为了避免沉积粒子与基底表面作用产生再次碰撞,使能量损失,使模拟的误差过大).模拟模型采用周期型边界条件,只考虑沉积过程和扩散过程.引入了沉积能量参数,研究了薄膜生长初期岛的形貌,数量和尺寸的变化;以及对薄膜的生长模式和形貌变化的影响.模拟的结果表明在0.2ML(ML表示单层monolayer)覆盖度,0.05ML/S沉积速率,800K沉积温度下,随着粒子沉积能量的加大,在薄膜初期岛的形成中,岛的数量减少,尺寸加大.在0.6ML覆盖度,0.01ML/S沉积速率,800K沉积温度下,薄膜的生长模式更趋向于层状生长.
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| 关 键 词： | Monte Carlo 沉积能量 扩散 晶胞 |
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