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硅功率器件的电子辐照效应及其机理
作者姓名:钱思敏  王炳林  王培德  刘安东  黄耀先  张传汉  朱悟新  张厥宗
作者单位:北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所,北京椿树整流器厂,北京椿树整流器厂,有色金属研究总院,有色金属研究总院
摘    要:电子辐照硅功率器件是七十年代初发展起来的新工艺,它利用加速器产生高能电子流辐照硅功率器件,使硅材料晶格中的点阵原予发生位移,造成简单的品格空位和间隙原子。这些空位和问隙原子要和硅中的其它杂质、空位相互作用,组成缺陷络合物,形成了深能级的复合中心,如氧宅位对、磷空位对、双空位对等,以控制少子寿命.为了克服目

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