| Fe/GaAs/Fe隧道结的磁电阻研究 |
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| 引用本文： | 任俊,余万伦,李玲.Fe/GaAs/Fe隧道结的磁电阻研究[J].四川师范大学学报(自然科学版),2005,28(3):316-319. |
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| 作者姓名： | 任俊 余万伦 李玲 |
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| 作者单位： | 四川师范大学,物理系,四川,成都,610066 |
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| 基金项目： | 四川省教育厅重点科研基金资助项目 |
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| 摘 要： | 用第一性原理的方法研究了Fe/GaAs/Fe隧道结的隧穿磁电阻(TMR).研究表明,TMR值对于界面的无序散射相当敏感,在考虑了界面无序的散射对电子输运的影响后,计算所得的TMR值与实验值吻合得很好.研究表明,界面无序的散射是造成TMR实验值很低的主要原因,而不是以往研究所认为的是界面处的自旋翻转的作用.
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| 关 键 词： | 隧道结 电子输运 界面无序散射 TMR值 |
| 文章编号： | 1001-8395(2005)03-0316-04 |
| 修稿时间： | 2004年6月23日 |
Study on Magnetoresistance of Fe/GaAs/Fe Tunnel Junction |
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| REN Jun,Yu Wan-Lun,LI Ling.Study on Magnetoresistance of Fe/GaAs/Fe Tunnel Junction[J].Journal of Sichuan Normal University(Natural Science),2005,28(3):316-319. |
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| Authors: | REN Jun Yu Wan-Lun LI Ling |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Tunnel junction Electron transport Interface disorder scattering TMR |
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