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SiC及其离子束技术在SiC研究中的应用
引用本文:
阳生红.SiC及其离子束技术在SiC研究中的应用[J].中山大学研究生学刊(自然科学与医学版),2000,21(1):8-12.
作者姓名:
阳生红
摘 要:
本文阐述了宽禁带半导体材料SiC的晶体结构,材料特性及制备方法。同时综述了离子束技术在SiC研究中的应用。其中包括SiC的离子束合成,掺杂,器件隔离与钝化。
关 键 词:
SiC
晶体结构
离子束技术
宽禁带导体材料
碳化硅
离子束合成
掺杂
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