| C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)的XPS及Raman谱测试分析 |
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| 引用本文： | 邱晓燕,李建.C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)的XPS及Raman谱测试分析[J].西南师范大学学报(自然科学版),2003,28(2). |
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| 作者姓名： | 邱晓燕 李建 |
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| 作者单位： | 西南师范大学,物理系,重庆,400715 |
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| 摘 要： | X射线光电子能谱测试(XPS)分析C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜)样品发现:把400℃退火后的样品继续加热到650℃并退火1h后,样品中除原有的Si晶体外,生成了SiC晶体,同时还出现了SiO2晶体,这表明一部分Si与C反应生成SiC的同时,氧气的氧化作用占主导地位,把大部分Si氧化成了SiO2.对比分析在650℃和750℃退火后样品的Raman谱发现:随着加热温度的升高,SiC与Si含量增加而SiO2含量减少.这表明:在750℃时,C原子的还原作用继400℃后再次占主导地位,又把一部分SiO2还原成Si.
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| 关 键 词： | Si(SiO2)纳米微粒 C膜 X射线光电子能谱测试 Raman谱 |
The XPS And Raman Analysis of Annealed C (Film)/Si (SiO2)(Nanoparticles)/C (Film) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Si(SiO_2) nanoparticles carbon film X-ray photoelectron spectroscopy Raman spectrums |
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