| 一种MFIS类结构的阈值电压新模型及其C-V特性分析 |
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| 引用本文： | 陈园琦,林殷茵,汤庭鳌,夏立. 一种MFIS类结构的阈值电压新模型及其C-V特性分析[J]. 复旦学报(自然科学版), 2005, 44(1): 105-110 |
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| 作者姓名： | 陈园琦 林殷茵 汤庭鳌 夏立 |
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| 作者单位： | 复旦大学,专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学,专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学,专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学,专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433 |
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| 摘 要： | 采用物理和数学分析相结合的方法，构建了MFIS结构阈值电压的一种新的解析模型，对此解析模型的分析表明，铁电材料的介电常数越低，电滞回线的矩形度越好，MFIS结构的存储特性越好．由该模型进一步得到了MFIS结构的C-V曲线，对C-V曲线物理过程的分析表明，工作频率以及铁电电滞回线是否饱和对C-V特性有较大影响，而C-V曲线的窗口与MFIS结构存储特性密切相关。
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| 关 键 词： | 半导体技术 不挥发存储器 金属-铁电层-介质层-半导体(MFIS) 阈值电压 C-V |
| 文章编号： | 0427-7104(2005)01-0105-06 |
A New Threshold Voltage Model and Research on C-V Property of MFIS Structure |
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| CHEN Yuan-qi,LIN Yin-yin,TANG Ting-ao,XIA Li. A New Threshold Voltage Model and Research on C-V Property of MFIS Structure[J]. Journal of Fudan University(Natural Science), 2005, 44(1): 105-110 |
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| Authors: | CHEN Yuan-qi LIN Yin-yin TANG Ting-ao XIA Li |
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| Abstract: | Based on physics and mathematical analysis, a new analytical model of MFIS threshold voltage is obtained. It is indicated from the threshold voltage model that the lower the dielectric constant of ferroelectrics film and the better the rectangle ratio of hysteresis loop is, the better the MFIS memory performance will be. Meanwhile the corresponding C-V curve is also obtained. Analysis of C-V curve shows, frequency and saturation of the loop affect C-V property obviously, and C-V window and MFIS memory capability are closely related. |
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| Keywords: | C-V |
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