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高功率微波激励下二极管失效和烧毁与载流子寿命的关系
作者姓名:
余稳 鲁光军 等
摘 要:
利用自行编制的半导体器件一维模拟程序mPND1D,通过对二极管内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性偏微分方程组进行数值求解,计算了二极管在高功率微波激励下失效和烧毁时吸收的能量及所需时间与器件载流子寿命的关系。
关 键 词:
高功率微波 半导体器件 烧毁 失效 载流子寿命 二极管 损伤机理
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