| 亚微米埋沟pMOSFET阈电压模型 |
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| 引用本文： | 牟有静,李洪革,郭继红.亚微米埋沟pMOSFET阈电压模型[J].辽宁大学学报(自然科学版),2000,27(4):347-351. |
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| 作者姓名： | 牟有静 李洪革 郭继红 |
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| 作者单位： | 辽宁大学信息科学与技术学院,辽宁沈阳,110036 |
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| 摘 要： | 亚微米埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ的阈电压模型，该模型考虑了热电子发射等短沟道效应。只要对模型中的符号作相应改变，则可作为ｎＭＯＳＦＥＴ的模型。
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| 关 键 词： | 阈电压模型 亚微米埋沟pMOSFET 短沟道效应 |
| 文章编号： | 1000-5846(2000)04-0347-05 |
| 修稿时间： | 2000年4月26日 |
A Threshold Voltage Model for Submicrometer Buried-channel pMOSFET |
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| MU Youjing,LI hongge,GUO Jihong.A Threshold Voltage Model for Submicrometer Buried-channel pMOSFET[J].Journal of Liaoning University(Natural Sciences Edition),2000,27(4):347-351. |
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| Authors: | MU Youjing LI hongge GUO Jihong |
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| Abstract: | Short channel effect of hot electron injection was taken into consideration in the threshold voltage model of submicrometer buried channel pMOSFET,so the model can be used as model for nMOSFET if symbols were changed correspondly. |
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| Keywords: | MOSFET threshold voltage |
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