| InGaAs／InP DHBT的基极-集电极设计 |
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| 引用本文： | 金智,刘新宇.InGaAs／InP DHBT的基极-集电极设计[J].中国科学(E辑),2008,38(9):1521-1528. |
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| 作者姓名： | 金智 刘新宇 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室, 北京 100029 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划项目(批准号: 2002CB311902)资助 |
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| 摘 要： | 研究了在InGaAs／InP DHBT中，组分渐变的集电极和δ掺杂浓度对Kirk电流的影响。提出了有效过渡层的概念。在组分非连续渐变的结构中，有效过渡层扩展到InGaAs的缩进层中。对不同的Kirk效应条件，给出了最大掺杂浓度、最大Kirk电流密度以及相对应的δ掺杂浓度的公式。最大集电极掺杂浓度和最大Kirk电流密度都依赖于δ掺杂层，优化δ掺杂能大幅度提高器件的Kirk电流密度。
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| 关 键 词： | InP DHBT 集电极 Kirk电流 |
| 收稿时间： | 2007-08-01 |
| 修稿时间： | 2007-10-17 |
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