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| 高补偿锗的低温电击穿与复合失能 | |
| 引用本文： | 秦国刚.高补偿锗的低温电击穿与复合失能[J].北京大学学报(自然科学版),1962(4). |
| 作者姓名： | 秦国刚 |
| 摘 要： | 一、引言 近几年来,对于液体氦温度下锗的电击穿现象进行了广泛的研究。典型的电压——电流特性曲线如图1.1所示。当电场增加到某一临界数值(约几个伏特/厘米),电流陡然猛增,电场每增加百分之几,电流增加几个数量级,这就是所谓电击穿。开始发生电击穿的电场称为击穿场,记作E_b。克尼格(S.H. |
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