| 具有高增益特性的InGaAsP/InP异质结光晶体管 |
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| 引用本文： | 石家纬,殷景志,张玉书,金恩顺,赵万,任临福,石景龙,高鼎三. 具有高增益特性的InGaAsP/InP异质结光晶体管[J]. 吉林大学学报(理学版), 1988, 0(4) |
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| 作者姓名： | 石家纬 殷景志 张玉书 金恩顺 赵万 任临福 石景龙 高鼎三 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子科学系(石家纬，殷景志，张玉书，金恩顺，赵万，任临福，石景龙)，吉林大学电子科学系(高鼎三) |
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| 摘 要： | 用液相外延方法制造了InGaAsP/InP异质结光晶体管,在1.3μm光增益高于200,在1.0μm光增益在1000倍以上,并在0.7μm～15μm范围内测量了谱响应。
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| 关 键 词： | 异质结 光晶体管 |
High-gain InGaAsP/InP Hetiojunction Phototransistors |
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| Shi Jiawei,Yin Jingzhi,Zhang Yushu,Jin Enshun,Zhao Wan,Ren Lingfu,Shi Jinglong and Gao Dingsan. High-gain InGaAsP/InP Hetiojunction Phototransistors[J]. Journal of Jilin University: Sci Ed, 1988, 0(4) |
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| Authors: | Shi Jiawei Yin Jingzhi Zhang Yushu Jin Enshun Zhao Wan Ren Lingfu Shi Jinglong Gao Dingsan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | heterojunction phototransistors. |
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