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| MOVPE生长1.55μm InGaAsP材料和InGaAsP／InP量子阱 | |
| 引用本文： | 刘宝林,秦福文.MOVPE生长1.55μm InGaAsP材料和InGaAsP／InP量子阱[J].吉林大学自然科学学报,1993(4):79-82. |
| 作者姓名： | 刘宝林 秦福文 |
| 摘 要： | 报导了ＬＰ－ＭＯＶＰＥ ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ体材料和量子阱的生长，生长的与ＩｎＰ匹配的１．５５μｍ波长的ＩｎＧａＡｓＰ材料，在７７Ｋ时光光半峰宽达１８．７ｍｅＶ，ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ量子阱的半峰宽为１８．０ｍｅｖ。 |
| 关 键 词： | MOVPE 量子阱 半导体 光子发光 |
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