| （Ba_（1－x）Nd_x）TiO_3系陶瓷的电性能 |
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| 引用本文： | 谢道华. （Ba_（1－x）Nd_x）TiO_3系陶瓷的电性能[J]. 天津大学学报(自然科学与工程技术版), 1994, 0(2) |
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| 作者姓名： | 谢道华 |
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| 作者单位： | 天津大学 |
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| 摘 要： | 研究了不同Ｎｄ３＋浓度（０．１ｍｏｌ％～２ｍｏｌ％）掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷的电性能．结果表明，当Ｎｄ３＋浓度为０．１ｍｏｌ％～０．２ｍｏｌ％时，轻度Ｎｄ３＋掺杂的ＢａＴｉＯ３陶瓷是半导性，而当Ｎｄ３＋为０．６ｍｏｌ％～２ｍｏｌ％时呈绝缘性．ＢａＴｉＯ３陶瓷室温下的体电阻车ρＶ随Ｎｄ３＋浓度的变化呈Ｕ型特性曲线，当Ｎｄ３＋＝０．１５ｍｏｌ％时材料具有最低的ρＶ和最佳的正温系数（ＰＴＣＲ）效应，相应于最大的平均晶粒尺寸ＡＧＳ和介电常数ε。随着Ｎｄ３＋浓度的增加．材料的ε和居里常数Ｃ下降，同时ε与Ｃ值密切相关．ＳＥＭ照片显示了Ｎｄ３＋含量对材料晶粒尺寸的强烈影响．此外，还分析了ＺｒＯ２对（Ｂａ１－ｘＮｄｘ）ＴｉＯ３系陶瓷电性能的影响．
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| 关 键 词： | 施主掺杂，电子补偿，空位补偿，平均晶粒尺寸，晶界 |
STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF (Ba_(1-x)Nd_x)TiO_3 CERAMIC |
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| Xie Daohua, Relva C B. STUDY OF ELECTRICAL PROPERTIES OF (Ba_(1-x)Nd_x)TiO_3 CERAMIC[J]. Journal of Tianjin University(Science and Technology), 1994, 0(2) |
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| Authors: | Xie Daohua Relva C B |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | doping of donor electron compensation vacancy compensation average grain size grain boundary |
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