PIN光电探测器用反外延片工艺研究 |
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引用本文: | 李杨,李明达.PIN光电探测器用反外延片工艺研究[J].天津科技,2016(4):34-36,40. |
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作者姓名: | 李杨 李明达 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
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摘 要: | 创新性使用反外延法工艺,介绍了适用于制备近红外波段PIN光电探测器的硅外延材料的研制工艺,在区熔单晶抛光片上进行重掺导电层和支撑层的外延层制备。通过对硅源流量与掺杂剂浓度的精确控制,实现了快速外延生长和高浓度掺杂。通过精细的后期加工工艺,将高阻区熔层加工为厚度和表面质量均满足器件要求的有源层。结果显示,采用反外延法工艺得到的反外延材料片应用到PIN光电二极管中,不仅节省器件制备中的工艺程序,而且大大提高了器件耐压性。
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关 键 词: | PIN光电探测器 反外延片 重掺导电层 支撑层 |
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