| C-N化合物薄膜的PE-HFCVD合成研究 |
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| 引用本文： | 程国安,刘洪刚,郑瑞廷,赵勇,刘华平. C-N化合物薄膜的PE-HFCVD合成研究[J]. 北京师范大学学报(自然科学版), 2004, 40(4): 475-480 |
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| 作者姓名： | 程国安 刘洪刚 郑瑞廷 赵勇 刘华平 |
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| 作者单位： | 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室;北京师范大学材料科学与工程系;北京市辐射中心,100875,北京;北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室;北京师范大学材料科学与工程系;北京市辐射中心,100875,北京;北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室;北京师范大学材料科学与工程系;北京市辐射中心,100875,北京;北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室;北京师范大学材料科学与工程系;北京市辐射中心,100875,北京;北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室;北京师范大学材料科学与工程系;北京市辐射中心,100875,北京 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，北京市优秀人才培养基金 |
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| 摘 要： | 对等离子体增强热丝化学气相沉积(PE-HFCVD)Si衬底上合成的C-N薄膜进行了研究.利用X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、扫描电子显微镜(SEM)等对C-N薄膜的物相、形貌以及沉积层结构进行了分析.结果证实:在Si衬底上能形成了α-C3N4和β-C3N4混合相,且气流中V(NH3):V(CH4)的比值直接影响C-N薄膜中混合相的含量.由于α-C3N4和β-C3N4相之间存在的竞相生长,导致晶粒很难长大,从而形成聚晶结构,每个聚晶由大量的纳米晶组成.还对氮化碳的形核生长进行了一些探讨.
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| 关 键 词： | PE-HFCVD C-N 化合物 薄膜 |
| 修稿时间： | 2003-12-16 |
THE FABRICATION OF C-N COMPOUND THIN FILMS WITH PE-HFCVD TECHNIQUE |
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| Cheng Guoan Liu Honggang Zheng Ruiting Zhao Yong Liu Huaping. THE FABRICATION OF C-N COMPOUND THIN FILMS WITH PE-HFCVD TECHNIQUE[J]. Journal of Beijing Normal University(Natural Science), 2004, 40(4): 475-480 |
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| Authors: | Cheng Guoan Liu Honggang Zheng Ruiting Zhao Yong Liu Huaping |
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| Keywords: | PE-HFCVD |
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