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| PECVD淀积SiO2的应用 | |
| 引用本文： | 吕文龙,罗仲梓,何熙,张春权.PECVD淀积SiO2的应用[J].科技通讯(上海),2008,14(1):33-37. |
| 作者姓名： | 吕文龙 罗仲梓 何熙 张春权 |
| 作者单位： | [1]厦门大学萨本栋微机电研究中心,厦门361005 [2]天津大学材料学院,天津300072 |
| 摘 要： | 研究了PECVD腔内压力、淀积温度和淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜的结构、淀积速率和抗腐蚀性等性能的影响。结果表明,利用剥离工艺,并采用AZ5214E光刻胶作为剥离掩模成功制作了约2μm厚的包裹在金属铝柱周围的SiO2隔热掩模。 |
| 关 键 词： | PECVD SiO2 AZ5214E 剥离 |
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