| 一种CMOS过热保护电路 |
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| 引用本文： | 游轶雄,刘正,徐永晋,王健.一种CMOS过热保护电路[J].上海大学学报(自然科学版),2002,8(4):293-296. |
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| 作者姓名： | 游轶雄 刘正 徐永晋 王健 |
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| 作者单位： | 上海大学机械电子工程与自动化学院,上海,200072 |
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| 摘 要： | 提出了一种用于集成电路内部的过热保护电路。采用0.6цmn阱互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的spectre仿真结果表明，此电路对因电源电压、工艺参数变化而引起的过热保护阈值点漂移有很强的抑制能力。通过引入反馈的方法解决了过热保护电路中热振荡带来的危害。
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| 关 键 词： | PTAT 绝对温度 比例 集成电路 金属氧化物半导体 电路结构 CMOS 过热保护电路 |
| 文章编号： | 1007-2861(2002)04-0293-04 |
| 修稿时间： | 2002年4月12日 |
A CMOS Thermal-Shutdown Circuit |
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| YOU Yi xiong,LIU Zheng,XU Yong jin,WANG Jian.A CMOS Thermal-Shutdown Circuit[J].Journal of Shanghai University(Natural Science),2002,8(4):293-296. |
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| Authors: | YOU Yi xiong LIU Zheng XU Yong jin WANG Jian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | thermal shutdown CMOS proportional to absolute temperature (PTAT) |
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