| 电感耦合等离子体CVD室温制备的纳米Si薄膜场电子发射研究 |
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| 引用本文： | 贺德衍,王晓强,陈强,栗军帅,尹旻,A. V. Karabutov,A. G. Kazanskii.电感耦合等离子体CVD室温制备的纳米Si薄膜场电子发射研究[J].科学通报,2006,51(3):251-254. |
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| 作者姓名： | 贺德衍 王晓强 陈强 栗军帅 尹旻 A. V. Karabutov A. G. Kazanskii |
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| 作者单位： | 1. 兰州大学物理系,兰州,730000
2. General Physics Institute, Vavilova str. 38, Moscow 119991, Russia
3. Moscow State University, Vorobyevy Gori, Moscow 119992, Russia |
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| 基金项目： | 致谢 本工作得到国家自然科学基金（批准号：10175030）和甘肃省科技攻关项目（批准号：4WS035-A72-134）的资助. |
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| 摘 要： | 利用电感耦合等离子体化学气相沉积在室温下制备了Si薄膜，用拉曼谱对样品的结构进行了表征，502 cm-1附近散射峰的出现说明在样品中形成了纳米结晶相。用原子力显微镜观察样品表面形貌发现，在合适的等离子体条件下制备的样品，其表面由随机均匀排列的高密度Si锥组成，Si锥的高度为30~40 nm，直径约为200 nm。场电子发射测量结果显示样品具有良好的电子发射特性，开启电压为7~10 V/μm。
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| 关 键 词： | ICP-CVD 纳米Si锥 场电子发射 低温生长 |
| 收稿时间： | 2005-08-13 |
| 修稿时间： | 2005-08-132005-10-17 |
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