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| MeV高能B离子注入Si的退火 | |
| 引用本文： | 卢武星,钱亚宏,卢殿通,王忠烈.MeV高能B离子注入Si的退火[J].北京师范大学学报(自然科学版),1988(3). |
| 作者姓名： | 卢武星 钱亚宏 卢殿通 王忠烈 |
| 作者单位： | 北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，北京师范大学低能核物理研究所，山东大学物理系 北京师范大学低能所 兼职教授 |
| 摘 要： | 报导了在国内实现MeV级能量离子注入的实验研究结果.在n-型Si(100)衬底上使用MeV能量的B离子注入产生p~+-型层和快速形成n-p-n结构.结果表明,经合适退火的样品内部,形成了深掩埋的注入激活层和良好的表面单晶层.采用双重注入的增强退火效应,能更为有效地对高能B离子注入样品实现退火,这对高能离子注入的实际应用有重要意义. |
| 关 键 词： | 高能注入 双重注入 增强退火 快速白光退火 MOS结构 |
THE ANNEALING OF SILICON IMPLANTED BY MeV HIGH ENERGY BORON ION |
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| Lu Wuxing Qian Yahong Lu Diantong Wang Zhonglie.THE ANNEALING OF SILICON IMPLANTED BY MeV HIGH ENERGY BORON ION[J].Journal of Beijing Normal University(Natural Science),1988(3). | |
| Authors: | Lu Wuxing Qian Yahong Lu Diantong Wang Zhonglie |
| Institution: | Lu Wuxing Qian Yahong Lu Diantong Wang Zhonglie~* |
| Abstract: | |
| Keywords: | high energy ion implantation double implantation enhanced annealing rapid light annealing MOS structure |
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