基于ATF-33143设计的低噪声放大器 |
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引用本文: | 吴云飞,刘景林,韩海生,崔虹云,朱雪彤,侯宪春.基于ATF-33143设计的低噪声放大器[J].齐齐哈尔大学学报(自然科学版),2013(3):28-31. |
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作者姓名: | 吴云飞 刘景林 韩海生 崔虹云 朱雪彤 侯宪春 |
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作者单位: | 佳木斯大学理学院 |
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基金项目: | 佳木斯大学2011科学技术研究青年基金项目(Lq2011-029);黑龙江省教育厅科技研究项目(12511569);佳木斯大学2012科学技术研究面上项目(L2012-046,L2012-040) |
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摘 要: | 采用单电源供电模式,设计了一个基于E-PHEMT晶体管ATF-33143的两级低噪声放大器。在本文中采用Agilent公司的ADS对电路进行了匹配并进行了优化,最后通过S参数仿真得到了低噪声放大器的各项参数,在1.805~1.880 GHz频率范围内噪声系数小于0.45 dB,带内增益大于30 dB,输入驻波比小于2.0 dB,输出驻波比小于1.5 dB。仿真结果表明,该设计满足性能指标要求。
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关 键 词: | 低噪声放大器 噪声系数 驻波比 带内增益 |
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