| 镶嵌纳米碳粒氧化硅膜的电致发光研究 |
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| 引用本文： | 马书懿 马自军 陈海霞 张开彪. 镶嵌纳米碳粒氧化硅膜的电致发光研究[J]. 西北师范大学学报(自然科学版), 2005, 41(3): 32-33,38 |
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| 作者姓名： | 马书懿 马自军 陈海霞 张开彪 |
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| 作者单位： | 西北师范大学物理与电子工程学院 甘肃兰州730070(马书懿，马自军，陈海霞)，西北师范大学物理与电子工程学院 甘肃兰州730070(张开彪) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60276015)，教育部科学技术研究项目(204139)，甘肃省自然科学基金资助项目(ZS021-A25-031-C)，西北师范大学科技创新工程资助项目(NWNUKJCXGC214) |
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| 摘 要： | 采用复合靶磁控共溅射法制备了含纳米碳粒的氧化硅薄膜．测量显示，随着正向偏压的增加，来自Au／含纳米碳粒氧化硅膜／p-Si结构的电致发光峰位于650nm处几乎不移动．
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| 关 键 词： | 磁控共溅射法 纳米碳粒 电致发光 |
| 文章编号： | 1001-988X(2005)03-0032-02 |
Study on electroluminescence from C-containing silicon oxide films |
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| MA Shu-yi,MA Zi-jun,CHEN Hai-xia,ZHANG Kai-biao. Study on electroluminescence from C-containing silicon oxide films[J]. Journal of Northwest Normal University Natural Science (Bimonthly), 2005, 41(3): 32-33,38 |
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| Authors: | MA Shu-yi MA Zi-jun CHEN Hai-xia ZHANG Kai-biao |
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| Abstract: | C-containing silicon oxide films are deposited by the co-sputtering technique with composite target.Form the Au/C-containing silicon oxide/p-Si structure,EL-band peak locats at around 650 nm,and has no evident shift with increasing forward bias. |
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| Keywords: | magnetron co-sputtering nm C particles electroluminescence |
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