|
|||||
|
|
| 硅热氧化层错的生长动力学关系式 | |
| 引用本文： | 谢茂浓.硅热氧化层错的生长动力学关系式[J].四川大学学报(自然科学版),1981(1). |
| 作者姓名： | 谢茂浓 |
| 摘 要： | 一、引言硅热氧化层错是在硅器件热氧化工艺中产生的一种二次缺陷,它是由1/3111]Frank不全位错环围绕的非本征填隙型层错。由于它对硅器件质量有显著影响,因而引起了器件工作者和材料工作者的普遍重视。已用各种技术对硅热氧化层错的结构形貌进行了研究,先后提出了各式各样的层错核化,生长模型,积累了许多层错生长动力学数据。但是,迄今还没有一个模型能成功地定量描写硅的热氧化层错的生长规律。1974年S·M·Hu给出了层错生长长度与氧化时间的解析式,预示了层错长度的抛物 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |