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| 第二类InAs／GaSb（001）半导体超晶格能带边结构的赝？… | |
| 引用本文： | 刘申之,龙飞.第二类InAs／GaSb（001）半导体超晶格能带边结构的赝？…[J].江西师范大学学报(自然科学版),1996,20(4):364-367. |
| 作者姓名： | 刘申之 龙飞 |
| 作者单位： | [1]江西师范大学计算中心 [2]江西师范大学物理系 |
| 摘 要： | 采用一种新的赝势方法计算了第二类ＩｎＡｓ（／ＧａＳｂ超晶格能带边结构随着ＩｎＡｓ和ＧａＳｂ层厚变化的规律。计算结果显示，随着ＩｎＡｓ和ＧａＳｂ层厚的变化，超晶格中杂质将经历了不同的深一浅杂质转变过程。 |
| 关 键 词： | 超晶格 能带边结构 赝势 半导体 砷化铟 锑化镓 |
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