砷在硅中的氧化增强扩散

本文研究了在低浓度条件下,砷在硅中的氧化增强扩散。砷是利用离子注入枝术在<100>方向注入到P型硅片中,离子注入后的硅片在氧化和非氧化的条件下进行热处理,使砷的分布产生再扩散。用两种不同的方法对砷的扩散分布进行了测量,一种是SIMS(二次离子质谱);另一种测量方法是Van der Pauw Hall效应。两种测量方法得到的结果是一致的。扩散系数是利用ICECREM模拟程序语言计算的。实验结果证实,砷在硅中存在着氧化增强扩散,而且氧化增强扩散的大小与氧化速率有关,氧化速率愈高氧化增强扩散愈大。根据实验结果得到了氧化增强系数与氧化速率之间的数学关系式。